2月22日,记者从2017年江西省教育工作会议上获悉,为表彰南昌大学江风益教授研究团队做出的杰出贡献,保持LED研究领先优势,推动“南昌光谷”建设和我省LED产业发展,进一步激发全省高校科技人员创新活力,经与省财政厅联合向省政府请求同意,省委教育工委、省教育厅决定对江风益教授研究团队特别奖励1000万元,用于团队的人才培养、学科建设、科技创新、对外交流合作及条件建设。

江风益教授研究团队“十九年磨一剑”,经过3000多次实验,在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片,并率先实现了产业化,打破了日美等国在该领域的技术垄断。“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖,实现了我省该项奖励“零”的突破。

继获得国家技术发明一等奖之后,工程中心在黄光及新型MOCVD高端装备等方面均取得新的突破。硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%,远高于国外公开报道的最高水平(9.63%),处于世界领先水平,使我国LED技术处于“部分领跑”地位,而这一世界最好水平的获得正是基于中心自主研发的新一代MOCVD高端装备。这一新成果应邀在国际国内会议上作大会邀请报告6次,国际同行评价“amazing”(令人惊叹),国内同行评价“又一石破天惊的世界纪录”。